「JPCA Show 2018」出展企業プレ情報

(株)上村工業

最新のめっき技術をトータルで提案

近年、電子機器の小型化・高機能化により銅回路の更なる高密度化および高速化が期待されている。
 このようなプリント配線板の銅回路形成では「ロープロファイル絶縁樹脂への高密着性を実現したデスミアプロセス」や「ファインパターン形成に適した薄く均一な下地無電解銅めっきプロセス」、「穴埋め性および膜厚分布の均一性に優れたビアフィル電気銅めっき」等が求められており、ファインパターン銅回路形成に対する次世代高密度回路技術をサポートするめっき薬品や技術を紹介し、セミアディティブ工法感光性樹脂対応デスミア/無電解銅前処理プロセスの「アップデスRプロセス&アルカップRプロセス」。ファインパターンSAP対応無電解銅めっき浴の「スルカップRPEAV5」。BVH内めっき付き回り性向上無電解銅めっき浴の「スルカップRPTU」。FO-PLP銅ポスト用硫酸銅めっき添加剤「スルカップREST‐01」他の技術を提案する。
 また、微細パターンビアフィル用硫酸銅めっき添加剤の「スルカップREFL‐02」やスルーホールフィリング用硫酸銅めっき添加剤の「スルカップREVF-YF3」をブース内でプレゼンを行い、新方式垂直連続搬送めっき装置「U‐VCPS」や高速電気めっき装置の「スピードプレーター」も紹介する。
 他には電子機器の薄膜化や軽量化によりフレキシブル基板およびリジットフレックス基板においても、銅回路の更なる高密度化と高速化に伴い高レベルの銅銅間接続信頼性が求められてきており、積層銅箔および内層銅上に導電性皮膜を形成せず、導電性銅合金薄膜を樹脂にのみ形成することにより直接硫酸銅めっきを行なうプロセスのダイレクトめっきプロセスの「パラダイムRプロセス」や「フレキシブル基板対応の無電解Ni/Auプロセス」を提案する。
 また、FPC向けに耐折り曲げ性に優れた「高耐食性無電解めっき浴」の提案を行い、フレキ基板への高い信頼性をサポートするめっき薬品の「ニムデンRNPG‐4」や「ゴブライトRTLM‐44」、「ナノシーラーMSL‐17」を、ブース内でプレゼンを行う。
 また、電子部品における“良好な接合信頼性”を維持できる最終表面処理が必要とされてきている為、多様化する実装技術をサポートするめっき薬品やプロセスの紹介では、「フリップチップバンプ用すずめっきプロセス」や「エルスタナー GLK‐03 (conformal bath) 」、「エルスタナー GKH‐22 (filling bath)」や「シアンフリー無電解金めっき浴の「ゴブライトRTNC‐25/TNC‐45」、シアンフリー電気銀めっきプロセスの「サプレアRGPSプロセス」、「チップ部品へのニッケル/中性すずめっきプロセスの「サプレアRニッケルAEP‐1」(ニッケル)、「ティナデスRGAM‐1」(すず)を提案する。